Топ-100

Электроника

Красноярский ГАУ (КрасГАУ)

 (решение и ответы по тесту от 100 руб)

Оставьте заявку и (контакты ниже), и мы поможем с решением и ответом на тест.

ВОПРОСЫ по предмету

Электроника

Примеры тестовых вопросов

Поможем ответить на тестовые вопросы по Электронике КрасГау.

 

  • “p-n”переход образуется после
  • Избирательный усилитель
  • Разновидности триггеров.
  • Фильтр после выпрямителя необходим для того, чтобы
  • Компаратором называют устройство
  • Условие открытия тиристора
  • Генератор пилообразного напряжения, это –
  • Дискретизация непрерывных сигналов
  • По технологии изготовления микросхемы бывают следующих  разновидностей
  • Обратный ток через «p-n» переход, возникает из-за
  • Частота колебаний,  генерируемых электронной схемой низкочастотного генератора определяется
  • Шифратор -
  • Демультиплексор
  • Разновидности оптронов.
  • Мультивибратор это -
  • Положительная обратная связь используется в схемах ___
  • Назначение фильтрокомпенсирующего устройства в схеме выпрямителя.
  • Разновидности фильтрокомпенсирующих устройств
  • Условия  передачи энергии электронам в полупроводнике.
  • Электронный счетчик -
  • Потенциальный барьер  p-n перехода
  • Операционный усилитель
  • Униполярные транзисторы.
  • Длина машинного слова определяется
  • Широкополосный усилитель
  • Полярность внешнего напряжения, при которой «p-n »  переход будет закрыт
  • Чувствительность усилителя – это
  • Электрон получил дополнительную энергию и 
  • Частота дискретизации аналогового сигнала, при передаче сигнала без потери информации
  • Способ получить в полупроводнике проводимость типа “n”
  • Различие между динистором и тринистором состоит в том, что 
  • Рабочая точка транзисторного усилителя
  • Регистр -
  • Примесная проводимость в полупроводниках.
  • Включение полевого транзистора, которое дает наибольшее усиление по мощности это -
  • Основные характеристики, по которым выбирают транзисторы для усилителей
  • Виды обратных связей в усилителе.
  • Определение  интегральной микросхемы.
  • Определение “P-N” перехода.
  • Качество работы электронного ключа лучше, когда эти параметры - падение напряжения на ключе в замкнутом состоянии, время переключения, ток в разомкнутом состоянии -
  • Различия между «ждущим» режимом мультивибратора и  автоколебательным
  • Основные блоки микропроцессорной системы
  • Связь между шириной запретной зоны вещества и его проводимостью
  • "p-n" переход образуется после ...
  • Разновидности полевых транзисторов.
  • Полярность внешнего напряжения, при которой  p-n переход будет открыт
  • Виды обратных связей в усилителе.
  • Схема включения биполярного транзистора, которая не дает усиления по напряжению
  • Назначение разделительных элементов в усилительном каскаде
  • Воздействия на вещество, которые передают его электронам дополнительную энергию
  • Основные логические функции
  • Схема включения полевого транзистора, которая  не дает усиления по напряжению 
  • Для чего служит демодулятор в усилителе постоянного тока с преобразованием
  • В процессе инжекции носителей  заряда
  • ВАХ тринистора показана на рисунке -
  • Схемы включения полевых транзисторов.
  • В процессе генерации носителей заряда происходит
  • Триггер, это -
  • Свойство перехода, которое  использует выпрямительный диод.
  • Как изменяются свойства полупроводникового фоторезистора при увеличении интенсивности
  • потока оптического излучения?
  • Какой параметр фотодиода изменяется при увеличении интенсивности потока оптического излучения?
  • Какой из перечисленных параметров не относится к усилителям электрических сигналов?
  • Какая характеристика усилителя изображена на рисунке?
  • Какое устройство представлено на рисунке?
  • Каково назначение цепи К4СЗ в схеме усилителя, приведенной на рисунке?
  • Какой параметр усилителя вычисляется по формуле
  • Что характеризует полоса пропускания усилителя?
  • Какое преимущество имеют усилители класса В перед усилителями класса А?
  • Какой вид обратной связи не встречается в усилителях электрических сигналов?
  • Какую математическую операцию над аналоговыми сигналами выполняет операционный усилитель в приведенной схеме?
  • На каком из рисунков представлена инвертирующая схема включения операционного усилителя с отрицательной обратной связью?
  • Какими свойствами обладает идеальный операционный усилитель?
  • Какому типу усилителей принадлежит операционный усилитель?
  • Какой коэффициент усиления имеет данная схема, если
  • Какое условие достаточно выполнить, чтобы построить
  • автоколебательный генератор электрических сигналов?
  • На какой диаграмме представлена эпюра выходного напряжения трехфазного выпрямителя со средней точкой, работающего на активную нагрузку?
  • Схема, какого устройства представлена на рисунке?
  • Какой параметр характеризует основное назначение схемы?
  • Какой процесс иллюстрирует приведенная эпюра
  • напряжения?
  • Какое логическое устройство предназначено для хранения информации в двоичном коде?
  • На каком рисунке изображен асинхронный RS-триггер?
  • Логическая структура, какого устройства показана на рисунке?
  • Какое устройство выполняет функцию преобразования постоянного напряжения одного уровня в.
  • постоянное напряжение другого уровня?
  • Ионизированный атом, захватывая свободный электрон, становится
  • Энергетическое состояние атома — это
  • Суммарная масса электронов, движущихся вокруг ядра
  • Для перехода с низкой орбиты на более высокую, электрон должен
  • Энергия для перехода электрона на более высокую орбиту доставляется световыми,
  • НЕ полностью занятая валентная зона характерна для
  • Размеры атома определяются
  • Уровень Ферми — это
  • С увеличением температуры
  • Размеры атома зависят
  • Двигаясь по разрешенной орбите. электрон
  • Если электрон переходит на очень удаленную орбиту и отрывается от атома, то такой атом называется (одно слово)
  • Каждой разрешенной орбите соответствует своя скорость и. следовательно, своя энергия электрона (вставить нужное слово)
  • Новые энергетические уровни в кристаллах полупроводников могут образовываться
  • Дефекты кристаллической решетки полупроводника и наличие примесей
  • Атомы германия и кремния имеют на внешних валентных оболочках
  • В качестве примесей используют
  • В чистом полупроводнике переход электрона из валентной зоны в зону проводимости сопровождается
  • Если к полупроводнику п-типа приложить внешнее напряжение, то
  • Под действием приложенного к кристаллу напряжения электрон проводимости движется
  • В полупроводнике с трехвалентной примесью
  • В полупроводниках с трехвалентной примесью под действием теплового излучения образуется
  • Под действием приложенного напряжения в полупроводнике с трехвалентной примесью
  • Под действием приложенного напряжения в полупроводнике с трехвалентной примесью
  • Под действием приложенного к кристаллу напряжения движение положительного заряда (дырки) происходит
  • Собственная электропроводность полупроводников может быть вызвана
  • Пятивалентная донорная примесь в четырехвалентном кристалле создает
  • Для изготовления полупроводниковых кристаллов используют кремний и …
  • Электропроводность полупроводника, вызванная различными примесями, называется …
  • Пятивалентная донорная примесь в четырехвалентном кристалле создает …
  • электропроводность
  • Примесь, создающая в четырехвалентном кристалле электронную электропроводность, называется …….
  • Электропроводность полупроводника р-типа называется …
  • Трехвалентная примесь в полупроводнике называется …
  • Электропроводность чистого кристалла, вызванная генерацией пар свободных, т е способных перемещаться под…
  • действием приложенного напряжения, зарядов называется …….
  • Процесс спонтанного перехода части электронов из зоны проводимости в валентную зону называется .
  • В собственном полупроводнике количество свободных электронов равно количеству …
  •  Чистый и однородный полупроводник, в котором количество свободных электронов (пр равно количеству дырок (р;)